2024年，寰球极其气象频发，成为有景象记载以来最热的一年，飓风、干旱等灾祸比往年愈加重大。在此配景下，推进社会的绿色低碳转型，晋升开展的“绿色含量”已成为普遍共鸣。在经济社会踏“绿”前行的进程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为要害支持，怎样破局飞速开展的市场与价钱战的抵触，除了当下热点的新动力汽车利用，怎样在产业储能等其余利用市场多点着花？在日前举行的年度碳化硅媒体宣布会上，英飞凌科技产业与基本设备营业年夜中华区高管团队从营业战略、贸易形式到产物上风等多个维度，片面展现了英飞凌在碳化硅范畴30年的深耕积聚跟差别化上风，体系阐释了怎样做“动力全链条的要害赋能者”。本文援用地点：30年领跑碳化硅技巧，做动力全链条要害赋能者绿色高效的动力是英飞凌在低碳化、数字化愿景下重点聚焦的三年夜营业增加范畴之一。英飞凌科技高等副总裁、产业与基本设备营业年夜中华区担任人于代辉表现，进入中国市场近三十年，英飞凌连续深耕动力全链条，为包含发电、输配电、储能、用电在内的电力全代价链供给体系级的高能效产物跟处理计划，产物普遍利用于风电、光伏、高铁、储能等利用范畴，为推进全部社会实现绿色低碳转型施展侧重要感化。联合本身定位“动力全链条上的要害赋能者“，能够说英飞凌在发电、输配电跟储能等范畴已做到“全链条笼罩，全赛道规划”。英飞凌科技高等副总裁、产业与基本设备营业年夜中华区担任人于代辉在于代辉看来，碳化硅是满意可连续机能源出产跟花费的中心技巧，能凭仗更年夜功率、更低消耗跟更高开关速率等上风特征，满意绿色动力相干利用在高能效、体系级性价比跟贯串全寿命周期的牢靠性等方面的请求。经由30年的深耕，在碳化硅工业这条赛道上，英飞凌以翻新先行者的姿势，连续引领着碳化硅技巧的开展偏向。早在1992年，英飞凌便率先开端了碳化硅技巧的研发，并于2001年推出了寰球第一款商用碳化硅二极管，开启了碳化硅的商用过程。尔后，英飞凌一直停止技巧打磨跟积淀，放慢产物的翻新跟迭代进级，辅助新资料在新利用中疾速生长。公司的碳化硅出产线也从后来的4英寸切换到6英寸，并逐渐向8英寸过渡，引领着碳化硅出产工艺的新潮水。“分歧性、当先性、翻新性、经济性跟顺应性，不只是咱们对碳化硅产物的冀望，也是客户在应用碳化硅进程中感触最深的五个痛点。” 于代辉用“稳”、“先”、“卓”、“优”跟“融”这五个要害字，通报出英飞凌盼望经由过程稳固的产物品质、多元化的供给链保证、当先的技巧翻新、出色的产物机能跟优化的产能规划，来一直满意跟处理客户的痛点需要，推进碳化硅市场疾速开展的信心跟才能。作为英飞凌科技产业与基本设备营业年夜中华区担任人，于代辉特殊夸大了“融”字的主要性。与中国市场跟客户的深度融会，“融入市场，融入客户”， 充足懂得外乡市场需要、放慢对市场跟客户的呼应速率、增强外乡利用翻新才能，加深对外乡需要跟体系的懂得，从而为海内客户供给“端到端”增值效劳，才干够在剧烈的市场竞争中破于不败之地。英飞凌科技副总裁、产业与基本设备营业年夜中华区市场担任人沈璐重塑行业格式，碳化硅何故英飞凌？在推进低碳化转型的进程中，转向可再生动力是中心环节，而怎样在动力转换进程中实现更高效的动力转换效力则是要害挑衅。碳化硅偏偏就是如许一种晋升能效的功率半导体技巧。其中心目的就是在低碳化转型框架下，将两个从前尚未被满意的需要变为事实：一是能效翻新，尤其是晋升光伏、储能、充电桩等利用的能效；二是计划翻新，重点是怎样将体系尺寸做得更小、本钱更低、愈加节能高效。英飞凌科技副总裁、产业与基本设备营业年夜中华区市场担任人沈璐，在廓清对于碳化硅技巧的两个最罕见的误区——牢靠性之争与机能评估准则的同时，条分缕析地阐释了英飞凌在碳化硅技巧范畴的奇特上风跟翻新贸易形式，努力于成为客户首选的零碳技巧翻新搭档。对于沟槽栅跟立体栅技巧的牢靠性之争，沈璐抽象地将沟槽栅架构比方成“下挖一个地道”，避开了“坑洼不平的碳化硅栅极氧化层界面”，经由过程应用更厚的氧化层跟更高的挑选电压，来最年夜限制地下降栅极氧化层的缺点密度，保证牢靠性。英飞凌早在10年前就提倡采取沟槽栅技巧，时至本日，无论是国际仍是海内年夜厂鄙人一代技巧道路的抉择上都纷纭转向了沟槽栅，也偏偏证实了沟槽栅技巧上风地点。对于碳化硅机能的评估准则，沈璐倡议废弃单一的“单元面积导通电阻(Rsp)”评估尺度，转而投向包含开关消耗、导通消耗、封装热阻/杂感、鲁棒性及牢靠性在内的多元化综合考量系统。由于在光伏、储能、充电桩等现实利用中，碳化硅高频开关带来的开关消耗开端越来越濒临，乃至超越导通消耗。另一方面，跟着温度的降低，沟槽栅导通电阻低温漂移是碳化硅的物理特征，英飞凌为用户供给了十分细致的计划参数，能够辅助计划工程师用足器件机能。别的，功率器件模块的封装热阻/杂感优化，对增添功率转换效力跟密度、坚持功率输出跟频率振荡稳固性也起到主要的感化。因而，多元化评估系统将愈加客不雅。在碳化硅营业战略上，沈璐夸大，英飞凌将保持三慷慨向：起首是连续规划，步履不绝，一直推动芯片技巧道路的迭代跟产线的进级；第二是连续翻新，超出等待，如推出寰球首款2kV碳化硅分破器件、寰球首款基于沟槽栅技巧的3.3kV碳化硅高功率模块，以及实现业界单芯片最年夜功率密度的CoolSiCTM MOSFET G2产物等，经由过程连续推出翻新产物，英飞凌建立了行业的新标杆；第三是连续深耕，穿梭周期，英飞凌将坚持临时的策略定力，保持做对的事，而不是轻易的事，在保持沟槽栅技巧道路、保持牢靠性许诺的同时，确保领有片面的产物组合，面向差别行业跟市场利用满意客户多样的需要，驾御周期性的磨练。英飞凌科技高等技巧总监、产业与基本设备营业年夜中华区技巧担任人陈破烽CoolSiC?碳化硅技巧，值得信任的技巧反动英飞凌科技高等技巧总监、产业与基本设备营业年夜中华区技巧担任人陈破烽深刻论述了英飞凌CoolSiC?碳化硅技巧的连续精进之路以及最新一代CoolSiCTM MOSFET G2技巧的奇特上风。他指出，技巧不只是一种手腕，更是产物机能跟特征等中心代价的表现。陈破烽夸大，在对一项技巧或一款产物停止评价时，仅仅存眷其电压品级、导通电阻等基础的静态跟静态特征是远远不敷的，还须要综合斟酌其牢靠性、稳固性以及易用性。比方，权衡碳化硅器件的机能须要片面评价多个要害指标，包含栅极氧化层的牢靠性、体二极管的鲁棒性，另有驱动电压的延展性跟抗短路才能作为牢靠性的直接表现，也是评价碳化硅器件机能时弗成疏忽的一环。而代表碳化硅器件在机能跟牢靠性上一直优化这一翻新偏向的要害技巧，就是沟槽栅技巧。英飞凌CoolSiCTM MOSFET采取了非对称沟槽栅构造，此中的垂直沟道计划，能够保障低界面态密度与氧化层圈套，晋升载流子迁徙率，并明显下降导通电阻跟开关消耗；深P阱计划则加强了栅极氧化层的牢靠性，而且能够在沟槽拐角处构成高电场，起到维护感化。除了器件的计划构造之外，英飞凌的.XT封装技巧可能片面优化器件的机能，将其潜力充足施展至更高程度，陈破烽弥补道。在出产工艺方面，英飞凌采取冷切割技巧为晶圆出产效力的晋升及供给保险保驾护航。综上所述，从器件的构造计划到封装方法，再到出产工艺，英飞凌正在全方位推动碳化硅技巧的连续向前开展。在此基本之上，英飞凌的CoolSiCTM MOSFET产物一直迭代进级。新一代碳化硅技巧CoolSiC? MOSFET G2产物，在确保品质跟牢靠性的条件下，将MOSFET的重要机能指标（如能量跟电荷储量）比拟上一代产物优化了20%，疾速开关才能也进步了30%以上，为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动跟产业电源等功率半导体利用范畴的客户带来了宏大上风。别的，CoolSiC? MOSFET G2还采取了优良的.XT技巧，用于将芯片粘合到封装上。这种技巧将芯片的瞬态热阻下降了25%乃至更高。与传统的键合技巧比拟，.XT技巧将芯片机能进步了15%，并将其应用寿命延伸了80%。CoolSiC? MOSFET G2的另一项上风在于它愈加牢固耐用。作为1200V电压品级功率器件的特征之一，CoolSiC? MOSFET G2的最年夜任务结温从从前的175摄氏度进步到了200摄氏度，这象征着客户有了更年夜的机动性，能够在过载前提下停止开辟计划。与前多少代产物比拟，采取CoolSiC? MOSFET G2 的电动汽车直流疾速充电站最高可增加10%的功率消耗，而且在不影响形状尺寸的情形下实现更高的充电功率。基于CoolSiC? MOSFET G2器件的牵引逆变器可进一步增添电动汽车的续航里程。在可再生动力范畴，采取 CoolSiC? MOSFET G2的太阳能逆变器能够在坚持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而下降本钱。踏“绿”前行“碳”新路，精“工”强“基”创将来。英飞凌将持续增强与外乡市场的融会，以翻新的技巧上风、出色的产物品质、持重的经营形式赋能客户，做动力全链条的要害赋能者，成为首选的零碳技巧翻新搭档。对于英飞凌英飞凌科技股份公司是寰球功率体系跟物联网范畴的半导体引导者。英飞凌以其产物跟处理计划推进低碳化跟数字化过程。该公司在寰球领有约58,060名员工（停止2024年9月尾），在2024财年（停止9月30日）的营收约为150亿欧元。英飞凌在法兰克福证券买卖所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场交际易市场上市（股票代码：IFNNY）。 申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->[db:摘要]
